入榜《2025年CNPPIGBT十大品牌榜中榜名录》的有：infineon英飞凌、富士电机、Mitsubishi三菱、SemikronDanfoss、onsemi安森美、starpower、比亚迪半导体、Toshiba东芝、ST意法半导体、士兰微电子Silan等，最新IGBT十大品牌排行榜由CN10排排榜技术研究部门和CNPP品牌数据研究部门共同发布，是通过专业独立调研测评、AI人工智能、大数据、云计算、资料统计分析后客观呈现的真实结果，不是认定认证，不是竞价排名，不是表彰评选，不是评价评比，排序不分先后，仅供参考。IGBT10大品牌行业推荐品牌
infineon英飞凌(英飞凌科技(中国)有限公司)成立于1999年，全球功率系统和物联网领域先进的半导体科技公司，专业生产IGBT组件、分立器件、智能卡芯片和功率半导体产品等产品，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案，其产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，业务遍及全球，已成为全球汽车半导体行业的佼佼者。得票指数：0
富士电机(富士电机(中国)有限公司)富士电机始创于1923年，是日本一家国际性电气设备制造商和分销商，主要开展电力电子系统能源、电力电子系统、能源工业、电子设备、食品和饮料分销以及发电五个领域业务，提供驱动控制器、不间断电源、自动化及仪器仪表产品及低压、中高压电器等系列产品。得票指数：0
Mitsubishi三菱(三菱电机(中国)有限公司)源自1921年日本，全球颇具影响力的多元化产业集团，世界500强企业，专注于面向楼宇、工厂、家庭等场景提供空调冷热系统，电力设备，社会公共设施及企业可视化节能系统等业务的综合性企业。三菱电机拥有从社会基础设施到家用产品的核心技术，目前已在海内外多个国家和地区内建立了完善的销售和服务体系。得票指数：0
4SemikronDanfoss(赛米控丹佛斯电子(珠海)有限公司)成立于1951年德国,全球领先的功率模块和系统制造商,主要生产现代节能型电机驱动器和工业自动化系统中的核心器件,赛米控丹佛斯电子(珠海)有限公司。得票指数：0
5onsemi安森美(安森美半导体公司)安森美（onsemi）前身摩托罗拉半导体元件部门，于1999年分拆独立上市，于2025年收购仙童半导体（Fairchild），现已成为全球半导体领域的领导者，在SiC功率元件、功率半导体等领域具备领先优势，产品涵盖高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片及定制器件等。得票指数：0
6starpower(斯达半导体股份有限公司)成立于2005年,上市公司,国内功率半导体器件领域的领军企业,车规级IGBT领域的佼佼者,主要产品为IGBT/MOSFET/IPM/FRD/SiC等,嘉兴斯达半导体股份有限公司。得票指数：0
7比亚迪半导体(比亚迪半导体股份有限公司)成立于2004年,国内领先的高效/智能/集成新型半导体企业,主要从事功率半导体/智能控制IC/智能传感器/光电半导体/制造及服务,比亚迪半导体股份有限公司。得票指数：0
8Toshiba东芝(东芝(中国)有限公司)全球领先的机械硬盘提供商，较早将HDR的PM商业化的HDD制造商，致力于推动硬盘技术和创新，以满足和超越广泛存储市场细分领域的客户需求，主要产品涵盖存储系统和服务器所需的企业级HDD、监控摄像系统和NAS服务器、电脑等所需的消费级HDD。得票指数：0
9ST意法半导体(意法半导体(中国)投资有限公司)创始于1988年，全球知名的半导体公司，世界较大的半导体制造商，业务涉及智慧出行、电力能源、物联网等领域，主营产品包括专用汽车IC、分立器件、功率晶体管、模拟器件、功率半导体、射频器件、光学传感器等，在全球拥有10多个半导体制造基地，业务遍及欧洲、亚洲和美洲等国家/地区，成为欧洲半导体行业的佼佼者。得票指数：0
10士兰微电子Silan(杭州士兰微电子股份有限公司)国内集成电路产业知名民营企业,在功率驱动/半导体功率器件与模块/MCU/音视频SOC/MEMS传感器/LED芯片等多个技术与产品领域具有较高水平,杭州士兰微电子股份有限公司。得票指数：0
知名(著名)IGBT，IGBT什么牌子好Littelfuse力特RENESAS瑞萨Vincotech中车时代电气ROHM罗姆华润微电子宏微MACMICABB华微电子扬杰YJnexperia安世半导体瑞能WeEn东微半导体新洁能>>更多IGBT行业品牌知识点igbt有几种类型
1、在应用层面根据电压等级划分
（1）低压IGBT：指电压等级在1000V以内的IGBT器件，例如常见的650V应用于新能源汽车、家电、工业变频等领域。
（2）中压IGBT：指电压等级在1000-1700V区间的IGBT器件，如1200V应用于光伏、电磁炉、家电、焊机、工业变频器和新能源汽车领域，1700V应用于光伏和风电领域。
（3）高压IGBT：指电压等级3300V及以上的IGBT器件，比如3300V和6500V应用于高铁、动车、智能电网，以及工业电机等领域。
2、在产品层面根据封装方式划分
（1）IGBT单管：封装规模较小，一般指封装单颗IGBT芯片，电流通常在50A以下，适用于消费、工业家电领域。
（2）IGBT模块：IGBT最常见的形式，是将多个IGBT芯片集成封装在一起，功率更大、散热能力更强，适用于高压大功率平台，如新能源车、光伏、高铁等。
（3）功率集成（IPM）：指把IGBT模块加上散热器、电容等外围组件，组成一个功能较为完整和复杂的智能功率模块。
3、根据是否具有N 缓冲层划分
（1）穿通IGBT：又称PT-IGBT、非对称IGBT，在发射极接触处具有N 区，具有不对称的电压阻断能力，即正向和反向击穿电压不同。非对称IGBT的反向击穿电压小于其正向击穿电压，同时具有更快的切换速度。穿通IGBT是单向的，不能处理反向电压。因此，它们被用于逆变器和斩波器电路等直流电路中。
（2）非穿通IGBT：又称NPT-IGBT、对称IGBT，它没有由发射极接触额外的N 区域，结构的对称性提供了对称的击穿电压特性，即正向和反向击穿电压相等。由于这个原因，它们被用于交流电路。
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