霍尔传感器10大品牌排行榜数据赋能 共话品牌 相信品牌的力量榜单说明品牌榜更新时间：2025年07月2日（榜中榜每月更新）入榜《2025年CNPP霍尔传感器十大品牌榜中榜名录》的有：ALLEGRO、infineon英飞凌、Melexis、TDK Micronas、NXP恩智浦、AKM旭化成微电子、BoschSensortec博世、Honeywell霍尼韦尔、TI德州仪器、ST意法半导体等，霍尔传感器10大品牌排行榜由CNPP品牌榜中榜大数据「研究院」和CN10排排榜技术「研究院」通过资料收集整理，并基于大数据统计及人为根据市场和参数条件变化的分析研究专业测评而得出，是大数据、云计算、数据统计真实客观呈现的结果，排序不分先后，不是认定认证、不是竞价排名、不是表彰评选、不是评奖评比，旨在褒扬优秀品牌，展现优秀企业。霍尔传感器10大品牌行业推荐品牌
ALLEGRO(埃戈罗微电子(上海)有限公司)成立于1990年,传感器和功率集成电路和光子学领域的全球半导体领军企业,霍尔效应传感器IC领域的佼佼者,埃戈罗微电子（上海）有限公司。得票指数：0
infineon英飞凌(英飞凌科技(中国)有限公司)成立于1999年，全球功率系统和物联网领域先进的半导体科技公司，专业生产IGBT组件、分立器件、智能卡芯片和功率半导体产品等产品，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案，其产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，业务遍及全球，已成为全球汽车半导体行业的佼佼者。得票指数：0
Melexis(迈来芯电子科技(上海)有限公司)成立于1988年比利时,汽车半导体传感器领域的全球领先者,世界3D霍尔传感器领域的佼佼者,迈来芯电子科技(上海)有限公司。得票指数：0
4TDK Micronas(东电化(中国)投资有限公司)成立于1993年瑞士,日本TDK集团旗下,基于CMOS的霍尔效应传感器的全球先导者,为汽车和工业电子领域提供领先的半导体解决方案,东电化(中国)投资有限公司。得票指数：0
5NXP恩智浦(恩智浦(中国)管理有限公司)前身为荷兰飞利浦公司的半导体事业部，于2006年进行拆分独立，成立恩智浦半导体，之后与飞思卡尔合并，在物联网和汽车领域进一步拓展业务，成为全球大型半导体公司和汽车供应商，在相关领域拥有市场领先地位，产品应用涵盖安全互联汽车、移动设备、工业物联网、智慧城市、智慧家居、通信基础设施等市场。得票指数：0
6AKM旭化成微电子(旭化成(中国)投资有限公司)始于1980年,旭化成集团旗下,全球大型的半导体集成电路供应商,提供霍尔传感器/三轴磁传感器/旋转角度传感器等精密集成电路产品,旭化成(中国)投资有限公司。得票指数：0
7BoschSensortec博世(博世(中国)投资有限公司)博世传感器（Bosch Sensortec）成立于2005年德国，为罗伯特·博世旗下全资子公司，全球领先的微机电系统（MEMS）传感器和解决方案供应商，MEMS传感器技术先导者，产品涵盖了压力、加速度、气体传感器、陀螺仪等多种MEMS传感器，为消费类电子产品提供范围广泛MEMS传感器产品组合。得票指数：0
8Honeywell霍尼韦尔(霍尼韦尔(中国)有限公司)创始于1885年美国，全球颇具影响力的高科技企业，业务覆盖航空航天科技、智能建筑科技、能源与可持续技术、智能工业科技等领域，于1935年正式进入国内市场。霍尼韦尔致力于提供广泛的工业技术和数字解决方案，产品线涵盖航空产品和服务、楼宇和工业控制技术、以及特性材料等品类，营销服务网络遍布海内外多个国家和地区。得票指数：0
9TI德州仪器(德州仪器半导体技术(上海)有限公司)成立于1930年，是源于美国的一家知名半导体企业，TI主要生产芯片、温度传感器、运算放大器、电机驱动器等系列产品。1986年TI正式进军中国市场，促进了中国电子产业结构的优化升级，增强中国高端产品设计创新能力，如今TI半导体分销网络遍布中国，上海、北京、深圳及香港等地更是设立了办事处。得票指数：0
10ST意法半导体(意法半导体(中国)投资有限公司)创始于1988年，全球知名的半导体公司，世界较大的半导体制造商，业务涉及智慧出行、电力能源、物联网等领域，主营产品包括专用汽车IC、分立器件、功率晶体管、模拟器件、功率半导体、射频器件、光学传感器等，在全球拥有10多个半导体制造基地，业务遍及欧洲、亚洲和美洲等国家/地区，成为欧洲半导体行业的佼佼者。得票指数：0
知名(著名)霍尔传感器，霍尔传感器什么牌子好泰科电子TE Connectivityams OSRAMDIODESMEMSICContinental大陆DENSO电装Sensata森萨塔纳芯微电子比亚迪半导体ANALOG DEVICESVALEO法雷奥ZF采埃孚HELLA海拉中车时代电气MPS芯源系统Littelfuse力特TT Electronics梯梯电子灿瑞科技OCSLEM以上品牌榜名单由CN10/CNPP品牌数据研究部门通过资料收集整理大数据统计分析研究而得出，排序不分先后，仅提供给您参考。我喜欢的品牌投票>>更多霍尔传感器行业品牌知识点霍尔传感器的主要性能参数介绍
1、输入电阻R
霍尔传感器元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。它的数值从几欧到儿百欧，视不同型号的元件而定。
温度升高，输入电阻变小，从而使输入电流变大，最终引起霍尔传感器电势变化。为了减少这种影响，最好采用恒流源作为激励源。
2、输出电阻R
两个霍尔传感器电势输出端之间的电阻称为输出电阻，它的数位与输入电阻同一数量级。它也随温度改变顺改变。选择适当的负载电阻易与之匹配，可以使由温度引起的程水电势的漂移减至最小。
3、最大激励电流I---霍尔传感器参数
由于霍尔传感器电势随激励电流的增大而增大，故在应用中总希望选用较大的激励电流1M但激励电流增大，程尔元件的功耗增大，元件的温皮升高，从而引起霍尔传感器屯势的温漂增大，因此每种型号的几件均规定了相应的最大激励电流，它的数值从几毫安至几百毫安。
4、灵敏度K
灵敏度KH=EH/IB，它的数值约为10MV（MA.T）左右。
5、最大磁感应强度BM---霍尔传感器参数
磁感应强度超过BM时，霍尔传感器电势的非线性误差将明显增大，特斯捡（T）成几千高斯（Gs）（1Gs=104T）。
6、个等位电势
在额定激励电流F，当外加磁场为零时它是由于4个屯极的几何尺寸不对称引起的误差。
7、霍尔传感器屯势温度系数
6M的数值一般为零点刀霍尔传感器输出端之间的开路电压称为不等位电势，使用时多采用电桥法来补偿不等位电势引起日在一定磁感应强度和激励电流的作用下，温度每变化1摄氏度时，霍尔传感器电势变化的百分数弱为霍尔传感器电势温度系数，它与霍尔传感器元件的材料有关。
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