1、固化工艺表现
汉高8290:标准30min升温+175℃/15min固化,工艺窗口窄,缩短时长易出现交联不良,炉温仅容忍±4℃波动。
蕞达8291S:完全兼容原有175℃量产工艺,新增160℃/10min低温快固方案,炉温容忍波动提升至±7℃,提速固化后胶体韧性、强度无衰减。
2、裸铜框架粘接强度(2×2mm硅片)
汉高8290:初始剪切强度7.1 kgf;HAST(130℃/85%RH/96h)老化后强度保留率仅58%。
蕞达8291S:初始剪切强度9.2 kgf;同等HAST老化条件后,强度保留率可达81%,铜框湿热粘接稳定性大幅提升。
3、可萃取离子纯度
汉高8290:Cl⁻≤29 ppm,Na⁺≤19 ppm,消费级管控标准,杂质残留偏高。
蕞达8291S:Cl⁻≤6 ppm,Na⁺≤4 ppm,高纯低离子体系,适配中高可靠认证要求。
4、导热系数
汉高8290:导热系数1.6 W/m·K,散热性能保守。
蕞达8291S:导热系数2.3 W/m·K,芯片散热效率显著提升。
5、温循稳定性(-40℃~125℃,1000次循环)
汉高8290:Tg=61℃;千次循环后强度衰减36%,阻值漂移>11%。
蕞达8291:Tg=78℃;千次循环后强度衰减≤14%,阻值漂移<3.5%,长期服役稳定性优势明显。
6、Bleed控制与耐回流性能
汉高8290:低bleed设计,满足基础JEDEC MSL标准,单次回流渗流可控。
蕞达8291S:同等优秀低bleed表现,可耐受多次高温回流,反复过炉无渗胶、无分层。
7、高速点胶流变适配性
汉高8290:适配低速点胶工艺,高速生产胶点一致性差、溢胶不良率高。
蕞达8291S:触变参数适配全自动高速固晶设备,胶点成型规整、无拖尾、溢胶可控,适配高产线量产需求。