近日，在美光纽约工厂奠基仪式上，美国商务部部长霍华德·卢特尼克释放明确信号：存储芯片制造商要么选择在美国本土建厂，要么面临高达 100% 的惩罚性关税。
目前，美光科技是唯一一家明确承诺在美国本土量产DRAM芯片的主要存储厂商。
资料显示，三星电子和SK海力士已在美国有所布局，但其现有投资计划恐怕仍难以满足新政要求，或将被纳入新政制裁范围。三星虽已宣布在美国推进半导体前道与后道制造环节，但截至目前，并未公布新建专门用于内存芯片生产的晶圆厂计划。
近日，恩智浦半导体发布S32N7超高集成度处理器系列。该系列基于与S32N55相同的5纳米技术平台，旨在开启汽车数字化新时代，助力汽车制造商全面数字化核心功能，在一颗芯片上实现动力总成、车辆动态控制、车身、网关和安全域，降低系统复杂性，并在整个车队实现AI驱动的创新。
S32N7 系列旨在将软件和数据整合至车辆核心（Vehicle Core）的集中化枢纽中，同时满足高标准的功能安全与信息安全。该系列处理器通过减少数十个硬件模块，提升布线、电子设备和软件的效率，帮助汽车制造商大幅简化车辆架构，总体拥有成本（TCO）最高可减少20%。
博世是首家在其车辆集成平台中部署S32N7的厂商。恩智浦与博世紧密合作，共同开发了参考设计、安全框。
3、廉价1TB SSD时代终结！铠侠2026年NAND闪存产能已售罄
日前，铠侠存储器事业部执行董事中户俊介（Shunsuke Nakato）在韩国接受采访时表示花7000日元就买到1TB SSD时代已经结束了，而且这波AI诱发供货不足将持续到2027年。
他提到，铠侠2026年产能已经售罄，花费7000日就能买到1TB SSD时代已经结束。根据当前汇率，7000日元折合人民币约308元，不过考虑到近期日元暴跌，用20：1汇率计算更为合适一点，即花350元买1TB SSD时代结束。
为了应对旺盛的需求，铠侠会提高工厂效率来增加供应量，四日市Fab已经升级为AI+IoT智慧工厂，每天采集50TB制造数据来提升良率，从2026 年起，位于北上市Fab2将正式量产新一代 BiCS 8闪存。
4、SK 海力士无锡工厂 DRAM 工艺升级，月产能 18-19 万片
上周消息，SK 海力士中国无锡晶圆厂历时约两年，完成 DRAM 制程从 1z 到 1a 的升级，该工厂为其 DRAM 核心生产基地，承担 30%-40% 的整体产量。
升级后，工厂月产能达 18-19 万片 12 英寸晶圆，90% 采用 1a 制程。1a 作为第四代 10 纳米级 DRAM，性能优于前代 1z。受美国对华 EUV 光刻设备出口限制，SK 海力士采用分阶段生产策略，关键 EUV 光刻工序在韩国工厂完成，其余在无锡工厂进行，虽增加物流成本与复杂性，但顺利消除制程转换不确定性。SK 海力士对此不予置评。
近日，三星晶圆代工正积极推广 2nm 制程，凭借 FoWLP-HPB 扇出晶圆级封装技术争抢台积电客户。该技术通过增加散热模块强化散热，解锁移动处理器超频潜力，此前应用于服务器和 PC，有望首次落地智能手机芯片。
三星 2nm 今年将放量，已迭代至第二代 GAA 方案（SF2P），并拿下高通、特斯拉等大客户订单。其曾因 3nm 量产不顺、散热问题流失客户，此次技术升级旨在改善短板，争夺苹果等大厂 2nm、3nm 订单。
不过业界认为，高通选择三星属双重供应商策略，且台积电先进制程产能紧张，三星接到的多为外溢订单，暂难撼动台积电地位。
6、美光确认内存短缺延续至 2026 年后，HBM 挤占产能
近日，美光科技高管表态，当前内存短缺情况前所未有，预计将持续至 2026 年后，三星、SK 海力士亦持相同观点。
短缺核心因 AI 对 HBM（高带宽内存）需求激增，其生产消耗大量晶圆，挤压传统市场供给。2026 年 Q1 服务器 DRAM 价格环比暴涨 55-60%，大客户报价涨幅达 70%，且长期合同取消改为季度定价。
供给缓解需至 2027 年起，多家企业新建晶圆厂陆续投产。此情况已影响终端市场，PC、智能手机市场受冲击，NVIDIA 计划削减显卡产量，消费电子行业面临压力。
7、美光 18 亿美元收购力积电铜锣晶圆厂 提升 DRAM 产能
近日，美光科技与力积电宣布签署独家意向书，美光将以 18 亿美元现金收购力积电台湾苗栗铜锣 P5 晶圆厂的厂房及厂务设施（不含生产设备），含 30 万平方英尺 300 毫米晶圆洁净室。
双方还将建立 DRAM 先进封装长期代工关系，美光将协助力积电精进利基型 DRAM 制程。力积电计划迁移铜锣厂资源至新竹厂区，聚焦 AI 相关高附加值产品，优化业务结构；美光则借工厂区位协同效应扩产，预计 2027 年下半年 DRAM 晶圆产量显著提升。
交易预计 2026 年第二季度完成，将强化台湾半导体产业地位，助力双方在 AI 相关科技竞争中占据优势。
